$491\, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત ફોટોસેન્સિટિવ સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.710\, V$ છે. જ્યારે આપાત તરંગલંબાઈ બદલીને નવી કિંમત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.43\, V$ થાય છે. નવી તરંગલંબાઈ ....... $nm$ છે.

સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $({V_0})$:

સીઝિયમની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $5.16 \times 10^{14} \ Hz$ છે. તો તેનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) . . . . . . $eV$ છે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,એક વિદ્યાર્થી બે અલગ-અલગ ધાતુઓ $A$ અને $B$ માટે આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈના વ્યસ્ત $1/\lambda$ વિરુદ્ધ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ નો આલેખ દોરે છે. જે આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. આલેખને જોતા,તમે સૌથી યોગ્ય રીતે શું કહી શકો?

એક ધાતુની સપાટીને પહેલા $\lambda_1 = 350 \ nm$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે અને ત્યારબાદ $\lambda_2 = 540 \ nm$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. એવું જોવા મળે છે કે બંને કિસ્સાઓમાં ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ $2$ ના ગુણાંકમાં અલગ પડે છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન ($eV$ માં) આશરે કેટલું હશે? (ફોટોનની ઉર્જા $= \frac{1240}{\lambda \text{ (} nm \text{ માં)}} \ eV$)

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે નીચેનામાંથી કયા વિધાનો સાચા છે?
$I$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા પ્રકાશની આવૃત્તિ પર આધાર રાખતી નથી.
$II$ અત્યંત તીવ્ર પ્રકાશ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર હંમેશા જોવા મળે છે.
$III$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રકાશની તીવ્રતા પર આધાર રાખતી નથી.
$IV$ વધુ આવૃત્તિ માટે બહાર નીકળતા ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા વધારે હોય છે.